Nueva memoria LPDDR4X: Micron ofrece la opción de 16 GB de RAM en el teléfono inteligente

Nueva memoria LPDDR4X: Micron ofrece la opción de 16 GB de RAM en el teléfono inteligente
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Nueva memoria LPDDR4X: Micron ofrece la opción de 16 GB de RAM en el teléfono inteligente Imagen: Micron (imagen de icono)

La memoria LPDDR se encuentra principalmente en los teléfonos inteligentes. Para estos, ahora hay una opción de hasta 16 GB de RAM con nuevos chips de memoria. Micron empaca hasta ocho matrices LPDDR4X con 16 Gigabits respectivamente 2 Gigabytes de espacio de almacenamiento en un paquete de chips que proporciona 16 GB de memoria.

Aunque Samsung ha tenido troqueles de 16 Gb en producción en serie durante mucho tiempo, solo incluye un máximo de seis en un paquete LPDDR4X de 12 GB. Todavía ejemplos muy raros de teléfonos inteligentes con 12 GB de RAM son el OnePlus 7 Pro (prueba) y en breve el nuevo Samsung Galaxy Note 10+ (práctico). En Micron, ahora existe la opción de 16 GB de RAM en el teléfono inteligente, que se espera en un futuro próximo en casos aislados en la clase de lujo.

El nuevo LPDDR4X de Micron solo o en paquete con memoria flash

Micron promete la disponibilidad inmediata del nuevo LPDDR4X a granel, disponible individualmente y como un paquete UFS de m√ļltiples chips (uMCP4) para clientes comerciales. Los dispositivos uMCP4 son una combinaci√≥n de RAM (LPDDR4X) y almacenamiento masivo (Universal Flash Storage) y vienen en ocho configuraciones de 64GB Flash + 3 GB de RAM hasta 256 GB Flash + 8 GB de RAM ofrecido. Por lo tanto, la configuraci√≥n m√°xima con LPDDR4X de 16 GB solo est√° disponible como una soluci√≥n independiente. El paquete de m√ļltiples chips ahorra espacio y energ√≠a sobre el uso por separado de RAM y Flash.

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Nueva DRAM "1z" para LPDDR4X-4266

Micron habla sobre el "nodo nan√≥metro 1z", que est√° una generaci√≥n por delante de la DRAM "1y" de Samsung. Ambos t√©rminos describen un proceso de fabricaci√≥n de la clase de 10 nm con anchos de estructura entre 10 nm y 20 nm. En la generaci√≥n de 1z-nm, Micron quiere estar por delante de la competencia y es la primera compa√Ī√≠a en producir en masa DDR4 de 16Gb en 1z-nm Proceso iniciado Con una mayor densidad de almacenamiento, el costo por bit deber√≠a disminuir. Adem√°s, Micron promete en la variante DDR4, una reducci√≥n en el consumo de energ√≠a en un 40 por ciento y m√°s potencia que a 1 nm.

En la variante LPDDR4X, Micron cuenta con el consumo de energía más bajo de la industria sin proporcionar evidencia. En comparación con la generación anterior, el consumo de energía debería disminuir hasta en un diez por ciento. Cómo estar en Samsung 4.266 megabits por segundo por pin como la clase de velocidad más alta para LPDDR4 (X).

Dependiendo de la versión, la nueva memoria debe usarse en teléfonos inteligentes de clase media y alta. La motivación es una vez más la creciente necesidad de memoria para la era 5G.

LPDDR5 para una velocidad de datos 50 por ciento m√°s alta

Con el LPDDR5 ya el sucesor del LPDDR4 (X) del JEDEC como nuevo est√°ndar del DDR SDRAM de baja potencia decidido. Con LPDDR5, la velocidad m√°xima de datos aumenta en un 50 por ciento hasta 6.400 Mbps por pin. Hace solo un mes, Samsung anunci√≥ el inicio de la producci√≥n en masa de LPDDR5-5500 con 12 gigabits por dado, que con 5500 Mbps a√ļn no alcanz√≥ el m√°ximo.

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