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▷ Los módulos de DRAM Samsung 12GB LPDDR4X para teléfonos inteligentes entran en producción masiva

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Samsung 12GB LPDDR4X DRAM Modules for Smartphones Enter Mass Production

Samsung ha iniciado la producción en masa de módulos DRD LPDDR4X de 12GB de alta capacidad para alta gama. smartphones
. Afirmado como el primer paquete 4X (LPDDR4X) de 12GB de baja potencia y doble velocidad de datos, los módulos DRAM de Samsung están hechos a medida para la próxima ola de productos premium smartphones
que aprovechan tecnologías como la configuración de varias cámaras, pantallas más grandes, 5G y AI. Se afirma que los chips DRAM de 12 GB, basados ​​en el proceso de la segunda generación de 10nm (1y-nm) de Samsung, proporcionan una tasa de transferencia de datos de 34.1GB / sy también se consideran más eficientes cuando se trata del consumo de energía.

Para recordar, Samsung comenzó la producción en masa de sus módulos DRD LPDDR4X de segunda generación de 10 nanómetros (1y-nm) con una capacidad de hasta 8 GB en julio del año pasado, con el objetivo de proporcionar los chips DRAM de alta capacidad para smartphones
. Los nuevos módulos LPDDR4X DRAM de la compañía tienen solo 1.1 mm de grosor, lo que significa que también reducen el tamaño y brindan más espacio para colocar una batería más grande, a pesar del aumento en la capacidad de memoria. Samsung afirma que los módulos DRD LPDDR4X de 12 GB proporcionarán una experiencia multitarea más fluida y una respuesta de búsqueda más rápida, y que se han diseñado teniendo en cuenta la calidad superior smartphones
que ahora incluyen características como cinco o más cámaras, pantallas de alta resolución, IA y 5G, entre otras.

“Con la producción en masa del nuevo LPDDR4X, Samsung ahora ofrece una línea completa de memoria avanzada para impulsar la nueva era de smartphones
, desde DRAM móvil de 12 GB a 512 GB de almacenamiento eUFS 3.0 ", dijo el vicepresidente ejecutivo de Marketing de memoria de Samsung Electronics, Sewon Chun, sobre los módulos de 12 GB de LPDDR4X.

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Hablando de la ingeniería detrás de la última solución DRAM de Samsung, los módulos LPDDR4X de 12 GB se crearon combinando seis chips LPDDR4X de 16 gigabits (Gb) basados ​​en el proceso de la segunda generación de 10 nm (1y-nm) en una sola unidad. Además de proporcionar una velocidad de transferencia de datos más rápida de hasta 34.1GBps, Samsung señala que los módulos de 12GB también minimizan el consumo de energía que requieren los módulos de mayor capacidad. En cuanto a la producción, la compañía apunta a aumentar el suministro de sus módulos DRD LPDDR4X de 8GB y 12GB basados ​​en 1y-nm para smartphones
en un 300 por ciento en la segunda mitad de 2019 en previsión de una alta demanda.

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